IPP60R199CPXKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 | |
Paketleme | Tube |
Paket / Kılıf | TO-220-3 |
Montaj Tipi | Through Hole |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 16A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 199mOhm @ 9.9A, 10V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 139W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.5V @ 660µA |
Tedarikçi Paketleme | PG-TO220-3 |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1520 pF @ 100 V |