| SIS903DN-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212 | |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Konfigürasyon | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Özelliği | - |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 20.1mOhm @ 5A, 4.5V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2565pF @ 10V |
| Güç - Maks. | 2.6W (Ta), 23W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Paket / Kılıf | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® 1212-8 Dual |