FDS8858CZ - ONSEMI - MOSFET N/P-CH 30V 8.6A 8SOIC | |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Konfigürasyon | N and P-Channel |
FET Özelliği | Logic Level Gate |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 8.6A, 7.3A |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 8.6A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1205pF @ 15V |
Güç - Maks. | 900mW |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Paket / Kılıf | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Tedarikçi Paketleme | 8-SOIC |