FDWS86068-F085 - ONSEMI - MOSFET N-CH 100V 80A 8DFN | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 6.4mOhm @ 80A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2220 pF @ 50 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 214W (Ta) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | Automotive |
Kalifikasyon | AEC-Q101 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | 8-DFN (5.1x6.3) |
Paket / Kılıf | 8-PowerTDFN |