IPB042N10N3GATMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 6V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 50A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 8410 pF @ 50 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 214W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | PG-TO263-3 |
Paket / Kılıf | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |