LND250K1-G - MICROCHIP TECHNOLOGY - MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Fet Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 500V |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 13mA (Tj) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1000Ohm @ 500µA, 0V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | - |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 10pF @ 25V |
Fet Özelliği | Depletion Mode |
Maksimum Güç Tüketimi | 360mW (Ta) |
Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | SOT-23 (TO-236AB) |
Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |