2N6661 - MICROCHIP TECHNOLOGY - MOSFET N-CH 90V 350MA TO39 | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 90 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 350mA (Tj) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 5V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 1A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 2V @ 1mA |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 50 pF @ 24 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 6.25W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Through Hole |
Tedarikçi Paketleme | TO-39 |
Paket / Kılıf | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |