IRFI840GPBF - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220-3 | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 500 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 4.6A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 2.8A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 40W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Through Hole |
Tedarikçi Paketleme | TO-220-3 |
Paket / Kılıf | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |