| SI4816BDY-T1-E3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC | |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Konfigürasyon | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Özelliği | Logic Level Gate |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 5.8A, 8.2A |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 18.5mOhm @ 6.8A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 3V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 10nC @ 5V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | - |
| Güç - Maks. | 1W, 1.25W |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Paket / Kılıf | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Tedarikçi Paketleme | 8-SOIC |