| SI7288DP-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8 | |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Konfigürasyon | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Özelliği | - |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 40V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 20A |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 565pF @ 20V |
| Güç - Maks. | 15.6W |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Paket / Kılıf | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SO-8 Dual |