| FF17MR12W1M1HB11BPSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET 1200V AG-EASY1B | |
| Teknoloji | Silicon Carbide (SiC) |
| Konfigürasyon | - |
| FET Özelliği | - |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | - |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | - |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | - |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | - |
| Güç - Maks. | - |
| Çalışma Sıcaklığı | - |
| Montaj Tipi | Chassis Mount |
| Paket / Kılıf | Module |
| Tedarikçi Paketleme | AG-EASY1B |