| SI6913DQ-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP | |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Konfigürasyon | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Özelliği | Logic Level Gate |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 12V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 4.9A |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 5.8A, 4.5V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 900mV @ 400µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | - |
| Güç - Maks. | 830mW |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Paket / Kılıf | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Tedarikçi Paketleme | 8-TSSOP |