| GCMX003A120S3B1-N - SEMIQ - 1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE | |
| Teknoloji | Silicon Carbide (SiC) |
| Konfigürasyon | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Özelliği | - |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 625A (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 300A, 20V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 120mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 1408nC @ 20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 41400pF @ 800V |
| Güç - Maks. | 2113W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Chassis Mount |
| Paket / Kılıf | Module |
| Tedarikçi Paketleme | - |