TPH7R506NH,L1Q - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - MOSFET N-CH 60V 22A 8SOP | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 22A (Ta) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 11A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 300µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2320 pF @ 30 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 1.6W (Ta), 45W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | 8-SOP Advance (5x5) |
Paket / Kılıf | 8-PowerVDFN |