STD3N80K5 - STMICROELECTRONICS - MOSFET N-CH 800V 2.5A DPAK | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 800 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 2.5A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 3.5Ohm @ 1A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 5V @ 100µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 9.5 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±30V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 130 pF @ 100 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 60W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | DPAK |
Paket / Kılıf | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |