NVMFWS2D1N08XT1G - ONSEMI - T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 80 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 181A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 2.1mOhm @ 43A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.6V @ 213µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 53 nC @ 6 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 3800 pF @ 40 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 148W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Derece | Automotive |
Kalifikasyon | AEC-Q101 |
Montaj Tipi | Surface Mount, Wettable Flank |
Tedarikçi Paketleme | 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) |
Paket / Kılıf | 8-PowerTDFN, 5 Leads |