IPD200N15N3GATMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3 | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 150 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 8V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 50A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 90µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1820 pF @ 75 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 150W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | PG-TO252-3 |
Paket / Kılıf | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |