FDS2672 - ONSEMI - MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 200 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 3.9A (Ta) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 6V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 3.9A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2535 pF @ 100 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 2.5W (Ta) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | 8-SOIC |
Paket / Kılıf | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |