| PSMN4R0-40YS,115 - NEXPERIA USA INC. - MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 40 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 1mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2410 pF @ 20 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 106W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | LFPAK56, Power-SO8 |
| Paket / Kılıf | SC-100, SOT-669 |