| CSD18536KTTT - TEXAS INSTRUMENTS - MOSFET N-CH 60V 200A/349A DDPAK | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 200A (Ta), 349A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1.6mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 11430 pF @ 30 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 375W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | TO-263 (DDPAK-3) |
| Paket / Kılıf | TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA |