| FQD12N20LTM-F085P - ONSEMI - MOSFET N-CH 200V 9A TO252 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 200 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 5V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 21 nC @ 5 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1080 pF @ 25 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | Automotive |
| Kalifikasyon | AEC-Q101 |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | TO-252AA |
| Paket / Kılıf | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |