Yeni
Resimler temsilidir
Ürün özellikleri için lütfen ürün açıklamalarını kontrol ediniz
P-Channel 8 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Ürün Kodu
:
SI2329DS-T1-GE3
TEDARİKÇİ
:
DigiKey Electronics
TEDARİKÇİ Kodu
:
SI2329DS-T1-GE3CT-ND
PAKETLEME TİPİ
:
Cut Tape (CT)
Tedarik Süresi
:
7 - 10
STOK
:
42462 ( Yurt Dışı )
KDV Dahil
BİRİM FİYAT
BİRİM FİYAT
11,79 TL
0,74 USD+KDV
Miktar
Birim Fiyat
1
11,79 TL
0,74 USD + KDV
10
10,37 TL
0,65 USD + KDV
100
8,02 TL
0,51 USD + KDV
500
6,37 TL
0,40 USD + KDV
1000
5,07 TL
0,32 USD + KDV
Ürünle İlgili Öne Çıkan Kampanyalar
{{CMP.TITLE}}
{{CMP.DESCRIPTION}}
- Ürün Özellikleri
- Teklif isteyin
- Ödeme Seçenekleri
- Yorumlar (0)
- Tavsiye Et
- Resimler
-
SI2329DS-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3 Packaging Cut Tape (CT) Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type Surface Mount Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Technology MOSFET (Metal Oxide) FET Type P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.3A, 4.5V FET Feature - Power Dissipation (Max) 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V Vgs (Max) ±5V Drain to Source Voltage (Vdss) 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1485 pF @ 4 V
DATASHEET
Benzer Ürünler
