SPP20N60S5XKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - HIGH POWER_LEGACY | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 600 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 13A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 5.5V @ 1mA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 103 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 3000 pF @ 25 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 208W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Through Hole |
Tedarikçi Paketleme | PG-TO220-3-1 |
Paket / Kılıf | TO-220-3 |