| SI7113DN-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK | |
| FET Tipi | P-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 13.2A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 134mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 3V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1480 pF @ 50 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® 1212-8 |
| Paket / Kılıf | PowerPAK® 1212-8 |