NTHL045N065SC1 - ONSEMI - SIC MOS TO247-3L 650V | |
Paketleme | Tube |
Paket / Kılıf | TO-247-3 |
Montaj Tipi | Through Hole |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 66A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 25A, 18V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 291W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4.3V @ 8mA |
Tedarikçi Paketleme | TO-247-3 |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 15V, 18V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | +22V, -8V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 105 nC @ 18 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1870 pF @ 325 V |