IMBG65R050M2HXTMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - SILICON CARBIDE MOSFET | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 41A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 15V, 20V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 18.2A, 18V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 5.6V @ 3.7mA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 22 nC @ 18 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | +23V, -7V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 790 pF @ 400 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 172W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | PG-TO263-7-12 |
Paket / Kılıf | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |