AIMDQ75R016M2HXTMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - AIMDQ75R016M2HXTMA1 | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 840 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 103A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 15V, 20V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 55.8A, 20V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 5.6V @ 12.3mA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 74 nC @ 18 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | +23V, -7V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2577 pF @ 500 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 394W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Derece | Automotive |
Kalifikasyon | AEC-Q101 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | PG-HDSOP-22 |
Paket / Kılıf | 22-PowerBSOP Module |