| IQD009N06NM5SCATMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 42A (Ta), 445A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 6V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 0.9mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.3V @ 163µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 150 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 12000 pF @ 30 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 3W (Ta), 333W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | PG-WHSON-8-U02 |
| Paket / Kılıf | 8-PowerWDFN |