| TPW1R306PL,L1Q - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 260A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1.29mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 8100 pF @ 30 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 960mW (Ta), 170W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | 175°C |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | 8-DSOP Advance |
| Paket / Kılıf | 8-PowerVDFN |