| PMV65UNER - NEXPERIA USA INC. - MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 2.8A (Ta) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 1.8V, 4.5V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 73mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±8V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 291 pF @ 10 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 490mW (Ta) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | TO-236AB |
| Paket / Kılıf | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |