| TPN4R712MD,L1Q - TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE - MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON | |
| FET Tipi | P-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 36A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 2.5V, 4.5V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 18A, 4.5V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 65 nC @ 5 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±12V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 4300 pF @ 10 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 42W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | 8-TSON Advance (3.1x3.1) |
| Paket / Kılıf | 8-PowerVDFN |