FDS4559 - ONSEMI - MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Konfigürasyon | N and P-Channel |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Güç - Maks. | 1W |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 4.5A, 3.5A |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V, 759pF @ 25V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 4.5A, 10V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V |
FET Özelliği | Logic Level Gate |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | 8-SOIC |