IRF510SPBF - VISHAY SILICONIX - MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 5.6A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 180 pF @ 25 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 3.7W (Ta), 43W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | TO-263 (D2PAK) |
Paket / Kılıf | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |