SCT2H12NZGC11 - ROHM SEMICONDUCTOR - SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM | |
Paketleme | Tube |
Paket / Kılıf | TO-3PFM, SC-93-3 |
Montaj Tipi | Through Hole |
Çalışma Sıcaklığı | 175°C (TJ) |
Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
FET Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 3.7A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.1A, 18V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 35W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 900µA |
Tedarikçi Paketleme | TO-3PFM |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 18V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | +22V, -6V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 1700 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 14 nC @ 18 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 184 pF @ 800 V |