IMBF170R650M1XTMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7 | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 1700 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 7.4A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 12V, 15V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 1.5A, 15V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 5.7V @ 1.7mA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 8 nC @ 12 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | +20V, -10V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 422 pF @ 1000 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 88W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | PG-TO263-7-13 |
Paket / Kılıf | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |