| DMT6016LFDF-7 - DIODES INCORPORATED - MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 60 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 8.9A (Ta) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 4.5V, 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 3V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 864 pF @ 30 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 820mW (Ta) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | U-DFN2020-6 (Type F) |
| Paket / Kılıf | 6-UDFN Exposed Pad |