FDD2572 - ONSEMI - MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 150 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 4A (Ta), 29A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 6V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 9A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1770 pF @ 25 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 135W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | TO-252AA |
Paket / Kılıf | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |