SI7212DN-T1-E3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Konfigürasyon | 2 N-Channel (Dual) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Güç - Maks. | 1.3W |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 30V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 4.9A |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | - |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 6.8A, 10V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
FET Özelliği | Logic Level Gate |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® 1212-8 Dual |