| R6004END3TL1 - ROHM SEMICONDUCTOR - MOSFET N-CH 600V 4A TO252 | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kılıf | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Çalışma sıcaklığı | 150°C (TJ) |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Fet Tipi | N-Channel |
| Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 980mOhm @ 1.5A, 10V |
| Fet Özelliği | - |
| Maksimum Güç Tüketimi | 59W (Tc) |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 1mA |
| Tedarikçi Paketleme | TO-252 |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 600 V |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 250 pF @ 25 V |