R6004END3TL1 - ROHM SEMICONDUCTOR - MOSFET N-CH 600V 4A TO252 | |
Paketleme | Cut Tape (CT) |
Paket / Kılıf | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Çalışma sıcaklığı | 150°C (TJ) |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Fet Tipi | N-Channel |
Sürekli Drain akımı (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 980mOhm @ 1.5A, 10V |
Fet Özelliği | - |
Maksimum Güç Tüketimi | 59W (Tc) |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 1mA |
Tedarikçi Paketleme | TO-252 |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 600 V |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 250 pF @ 25 V |