| IPP339N20NM6AKSA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET | |
| FET Tipi | N-Channel | 
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) | 
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 200 V | 
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 6.8A (Ta), 39A (Tc) | 
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V, 15V | 
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 31.8mOhm @ 26A, 15V | 
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 4.5V @ 52µA | 
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | 
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V | 
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1600 pF @ 100 V | 
| FET Özelliği | - | 
| Güç Tüketimi (Maks.) | 3.8W (Ta), 125W (Tc) | 
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) | 
| Derece | - | 
| Kalifikasyon | - | 
| Montaj Tipi | Through Hole | 
| Tedarikçi Paketleme | PG-TO220-3-1 | 
| Paket / Kılıf | TO-220-3 |