| STWA65N65DM2AG - STMICROELECTRONICS - MOSFET N-CH 650V 60A TO247 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 650 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 5V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±25V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 5500 pF @ 100 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 446W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | Automotive |
| Kalifikasyon | AEC-Q101 |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Paketleme | TO-247 Long Leads |
| Paket / Kılıf | TO-247-3 |