FDMS86250 - ONSEMI - MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFN | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 150 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 6.7A (Ta), 20A (Tc) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 6V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 6.7A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 4V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2330 pF @ 75 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | 8-PQFN (5x6) |
Paket / Kılıf | 8-PowerTDFN |