CSD19538Q2 - TEXAS INSTRUMENTS - MOSFET N-CH 100V 14.4A 6WSON | |
FET Tipi | N-Channel |
Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain Source Gerilimi (Vdss) | 100 V |
Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 14.4A (Ta) |
Maksimum Sürüş Gerilimi | 6V, 10V |
Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 5A, 10V |
Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 5.6 nC @ 10 V |
Maksimum Gain Source Gerilimi | ±20V |
Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 454 pF @ 50 V |
FET Özelliği | - |
Güç Tüketimi (Maks.) | 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) |
Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Derece | - |
Kalifikasyon | - |
Montaj Tipi | Surface Mount |
Tedarikçi Paketleme | 6-WSON (2x2) |
Paket / Kılıf | 6-WDFN Exposed Pad |