| DMG1016UDW-7 - DIODES INCORPORATED - MOSFET N/P-CH 20V SOT363 | |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Konfigürasyon | N and P-Channel |
| FET Özelliği | Logic Level Gate |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 1.07A, 845mA |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 0.74nC @ 4.5V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 60.67pF @ 10V |
| Güç - Maks. | 330mW |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Paket / Kılıf | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Tedarikçi Paketleme | SOT-363 |