| IPG20N06S2L35ATMA1 - INFINEON TECHNOLOGIES - MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON | |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Konfigürasyon | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Özelliği | Logic Level Gate |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 55V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 20A |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2V @ 27µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 790pF @ 25V |
| Güç - Maks. | 65W |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | Automotive |
| Kalifikasyon | AEC-Q101 |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Paket / Kılıf | 8-PowerVDFN |
| Tedarikçi Paketleme | PG-TDSON-8-4 |