| STH13N120K5-2AG - STMICROELECTRONICS - MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 1200 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 690mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 5V @ 100µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 44.2 nC @ 10 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | ±30V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 1370 pF @ 100 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 250W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Derece | Automotive |
| Kalifikasyon | AEC-Q101 |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Tedarikçi Paketleme | H2PAK-2 |
| Paket / Kılıf | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |