| SCT20N120AG - STMICROELECTRONICS - SICFET N-CH 1200V 20A HIP247 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 1200 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 20V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 239mOhm @ 10A, 20V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 45 nC @ 20 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | +25V, -10V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 650 pF @ 400 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 153W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Derece | Automotive |
| Kalifikasyon | AEC-Q101 |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Paketleme | HiP247™ |
| Paket / Kılıf | TO-247-3 |