MSC080SMA120B
N-Channel 1200 V 37A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247-3
| MSC080SMA120B - MICROCHIP TECHNOLOGY - SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3 | |
| FET Tipi | N-Channel |
| Teknoloji | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 1200 V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 37A (Tc) |
| Maksimum Sürüş Gerilimi | 20V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 15A, 20V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 64 nC @ 20 V |
| Maksimum Gain Source Gerilimi | +23V, -10V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 838 pF @ 1000 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 200W (Tc) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Derece | - |
| Kalifikasyon | - |
| Montaj Tipi | Through Hole |
| Tedarikçi Paketleme | TO-247-3 |
| Paket / Kılıf | TO-247-3 |
