| SIA921EDJ-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8 | |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Konfigürasyon | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Özelliği | Logic Level Gate |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 4.5A |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 59mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | - |
| Güç - Maks. | 7.8W |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Paket / Kılıf | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Tedarikçi Paketleme | PowerPAK® SC-70-6 Dual |