| SI4204DY-T1-GE3 - VISHAY SILICONIX - MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8SOIC | |
| Paketleme | Cut Tape (CT) |
| Paket / Kılıf | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Montaj Tipi | Surface Mount |
| Konfigürasyon | 2 N-Channel (Dual) |
| Çalışma Sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oxide) |
| Güç - Maks. | 3.25W |
| Drain Source Gerilimi (Vdss) | 20V |
| Sürekli Drain Akımı (Id) @ 25°C | 19.8A |
| Maksimum Giriş Kapasitansı (Ciss) @ Vds | 2110pF @ 10V |
| Maksimum Açık Drain Source direnci - (Maks) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 10A, 10V |
| Maksimum Kapı Şarjı (Qg) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| FET Özelliği | - |
| Vgs(th) (Maks) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Tedarikçi Paketleme | 8-SOIC |